Wczytuję dane...
Model: DIASA1SSD0056
Kod producenta: MZ-V8V1T0BW
Gwarancja: 60 miesięcy
Realizacja zamówienia: 24 godzin
Sprzedanych produktów: 0
EAN: 8806090572210
Wysyłka: Wysyłka gratis!
Producent: samsung
KUP TERAZ!
Napięcie pracy: 3,3 V
Standardowe rozwiązania komunikacyjne: PCI Express 3.0
NVMe: Tak
Waga produktu: 8 g
NVMe wersja: 1.4
Wibracje podczas pracy: 1500 G
Losowy zapis (4KB): 480000 IOPS
Pojemność pamięci SSD: 1000 GB
Maksymalne zużycie mocy: 5,3 W
Łącze PCI Express: x4
Element dla: PC/notebook
Prędkość odczytu z nośnika: 3500 MB/s
Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2
Obsługa S.M.A.R.T.: Tak
Losowy odczyt (4KB): 500000 IOPS
Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit AES
Zakres temperatur (eksploatacja): 0 - 70 °C
Średnie zużycie mocy: 4,6 W
MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h
Prędkość zapisu nośnika: 3000 MB/s
Szyfrowanie sprzętu: Tak
Typ pamięci: V-NAND

IT

  • Element dla: 

    PC/notebook

  • Losowy odczyt (4KB): 

    500000 IOPS

  • Losowy zapis (4KB): 

    480000 IOPS

  • Łącze PCI Express: 

    x4

  • Maksymalne zużycie mocy: 

    5,3 W

  • MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 

    1500000 h

  • Napięcie pracy: 

    3,3 V

  • NVMe: 

    Tak

  • NVMe wersja: 

    1.4

  • Obsługa S.M.A.R.T.: 

    Tak

  • Pojemność pamięci SSD: 

    1000 GB

  • Prędkość odczytu z nośnika: 

    3500 MB/s

  • Prędkość zapisu nośnika: 

    3000 MB/s

  • Rozmiar kieszeni dysku SSD: 

    M.2

  • Standardowe rozwiązania komunikacyjne: 

    PCI Express 3.0

  • Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 

    256-bit AES

  • Szyfrowanie sprzętu: 

    Tak

  • Średnie zużycie mocy: 

    4,6 W

  • Typ pamięci: 

    V-NAND

  • Waga produktu: 

    8 g

  • Wibracje podczas pracy: 

    1500 G

  • Zakres temperatur (eksploatacja): 

    0 - 70 °C

Polecamy